刻蚀机和光刻机哪个难度大?

刻蚀机的难度更大。光刻机负责在晶圆上绘制电路图案，而刻蚀机需要精确去除多余材料，形成三维结构。刻蚀过程涉及化学反应、物理轰击和材料控制，误差容忍度极低，纳米级偏差会导致整个芯片失效。光刻虽然精度要求高，但技术路径相对成熟，刻蚀则需应对更复杂的材料相互作用和工艺变量。

对比

刻蚀机：刻蚀机需要在原子级别控制材料去除，既要保证线条边缘平整，又要避免损伤下层结构。不同材料需要不同的刻蚀气体和能量参数，调整窗口极小。一台刻蚀机包含上千个精密部件，任何一个参数波动都会影响良率。例如，5纳米制程中，刻蚀误差必须控制在1个原子以内，相当于在足球场上误差不超过1毫米。

光刻机：光刻机核心是光源和镜头系统，通过极紫外光（EUV）将电路图案投射到晶圆上。虽然EUV光源技术难度高，但光刻工艺相对标准化，主要挑战在于光源稳定性和镜头精度。光刻误差容忍度略高于刻蚀，允许一定程度的图案模糊，后续可通过刻蚀修正。目前ASML的EUV光刻机已实现大规模量产，而顶尖刻蚀机仍依赖定制化开发。