可控硅和igbt哪个稳定?

可控硅和IGBT的稳定性取决于应用场景。可控硅结构简单，耐高压，适合大电流场合，但开关速度慢，容易受温度影响。IGBT开关速度快，损耗低，适合高频控制，但高温下稳定性稍差。

对比

可控硅：稳定性强，能承受数千伏电压和数百安电流，在电力系统、电机控制中表现可靠。工作温度范围广，可达125摄氏度以上，但开关频率低，一般在400赫兹以下，不适合高频场景。

IGBT：开关速度快，可达20千赫兹，适合变频器、逆变器等设备。损耗小，效率高，但高温下容易发生热失控，需要良好散热。耐压能力稍弱，通常在6500伏以下，不适合超高电压环境。