光刻和刻蚀哪个更难?

光刻和刻蚀都是半导体制造中的关键步骤，但光刻的难度更高。光刻需要精确地将电路图案转移到晶圆上，涉及光刻胶涂布、曝光、显影等多个环节，对精度要求达到纳米级。刻蚀则是去除不需要的材料，虽然也需要高精度，但技术相对成熟，容错空间稍大。

对比

光刻：光刻的难点在于控制纳米级精度，任何微小的误差都会导致电路失效。需要使用极紫外光等先进光源，设备成本高达数亿元，工艺窗口极小，调整参数非常复杂。一块晶圆上可能有数十亿个晶体管，光刻必须保证每个图案都完美无误，难度极大。

刻蚀：刻蚀的挑战在于均匀性和选择性，要确保材料被精确去除而不损伤下层结构。虽然刻蚀也需要高精度，但工艺相对稳定，设备成本较低。刻蚀的误差容忍度比光刻稍高，即使出现轻微偏差，后续工艺也能弥补，整体难度低于光刻。