n型半导体和p型哪个禁带宽度大?

n型半导体的禁带宽度比p型半导体大。

对比

n型半导体：由掺杂五价元素如磷形成，多余电子占据导带底部，使禁带宽度相对较大。禁带宽度一般在1.1电子伏特以上，如硅基n型半导体约为1.12电子伏特。较大的禁带宽度使其在高温下稳定性更好，漏电流较小，适合制作高频器件。

p型半导体：由掺杂三价元素如硼形成，空穴占据价带顶部，禁带宽度略小。硅基p型半导体的禁带宽度约为1.1电子伏特，略低于n型。较小的禁带宽度使其载流子迁移率较高，但高温下漏电流较大，常用于低功耗电路。