扩散硅压力和陶瓷电容压力传感器有何不同?哪个好?

扩散硅压力传感器和陶瓷电容压力传感器的主要区别在于工作原理和适用场景。扩散硅传感器利用半导体压阻效应，精度高但抗冲击性较差；陶瓷电容传感器通过电容变化检测压力，耐高温抗腐蚀，但长期稳定性略逊。选择时需根据具体需求：工业环境选陶瓷电容，精密测量选扩散硅。

对比

扩散硅压力传感器：基于硅片压阻效应，压力变化导致电阻改变，信号处理简单，精度可达0.1级。适合清洁气体和液体，温度范围-40到125摄氏度，但易受振动影响，寿命约5年。常见于汽车燃油系统和液压设备。

陶瓷电容压力传感器：陶瓷膜片与电极形成电容，压力变化引起电容值波动。耐腐蚀性强，可测腐蚀性介质，温度范围宽至-40到400摄氏度。抗冲击性好，寿命长达10年，但成本较高，多用于化工和石油行业。