中国光刻机与国外有多大差距?

中国光刻机与国外先进水平差距较大，尤其在高端EUV光刻机领域，国外已实现7纳米以下工艺量产，而国内仍停留在90纳米以上。国外企业如ASML拥有完整产业链和技术专利，国内受限于核心部件和材料研发，追赶需要时间。

对比

中国光刻机：国内光刻机以中低端为主，最先进的光刻机由上海微电子研发，工艺节点约90纳米。核心部件如光源、镜头依赖进口，研发周期长，技术积累不足。国产光刻机主要应用于成熟制程，市场占有率不足5%。

国外光刻机：荷兰ASML的EUV光刻机可支持3纳米工艺，精度达纳米级。拥有全球供应链，核心部件自研自产，年产量超50台。台积电、三星等企业依赖其设备，垄断高端市场，技术壁垒难以突破。