时间:01-19人气:15作者:拒绝打扰
p型半导体和n型半导体的电压大小取决于具体应用场景。在PN结中,n型半导体的电子浓度高,p型半导体的空穴浓度高,两者结合时会产生内建电场。这个电场方向从n区指向p区,导致n型半导体一侧的电位较高,而p型半导体一侧的电位较低。因此,在平衡状态下,n型半导体的电压比p型半导体大约0.7伏(针对硅材料)。
对比
n型半导体:n型半导体通过掺杂五价元素(如磷)产生大量自由电子,导电性主要靠电子移动。在PN结中,电子从n区向p区扩散,形成空间电荷区,导致n区带正电,电位较高。实际应用中,n型半导体在二极管阳极、晶体管发射极等位置电压更高,适合作为电流输出端。
p型半导体:p型半导体掺杂三价元素(如硼),产生大量空穴,导电性依赖空穴运动。在PN结中,空穴从p区向n区扩散,使p区带负电,电位较低。p型半导体常用于二极管阴极、晶体管基极等位置,电压较低,适合作为电流输入端。
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